磁场中直拉硅单晶（Magnetical Applied－Czochralski Method）简称MCZ技术，该技术自1980年问世，至1984年便达到工业上的实用阶段。当前它已成为工业发达的日美苏等国用于提高单品质量的重要工艺技术。因该技术可借用强磁场抑制导电熔体的热对流，从而可在地面上模拟宇宙空间微重力条件下生长出基本无生长条纹的高均匀单晶体而受到重视。MCZ单晶的问世，对提高电荷耦合器件，高反压大功率器件和大规模集成电路等的质量，起到了重要作用。有关国家将MCZ技术的实现诀窍，做为重要技术机密而加以控制。
    为掌握此技术，黑龙江省科委与航天工业部科研生产司于1983年联合立项并由哈工大半导体物理与器件专业和鹤岗市半导体材料厂联合承担了MCZ技术的研究工作。经过三年多的努力，设计制成了《“Y”形磁场单晶炉》，《横向磁场单晶炉》和《非线性磁场拉晶装置》三种MCZ硅单晶炉并拉制成了电阻率均匀性和结构完整性都高于常规直拉法所制成的硅单晶。这一成功不仅填补了我国MCZ技术的空白，而且为提高我国的单品质量创出了新路，该项科研成果于1987年4月通过了黑龙江省与航天工业部的联合鉴定。
    结合此技术的开发而写成的《MCZ技术研究》学术论文，于1986年获中国电子学会颁发的优秀论文奖。与该技术有关的设备，被选为我国参加第三十六届布鲁塞尔尤里卡发明博览会览品，并获尤里卡金奖。　（哈工大）